The dependence of InGaN/GaN LEDs quantum efficiency reduce with the features of the volt-farad characteristics during operation
- 1 д.т.н, директор УФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 аспирант, базовая кафедра РОН УлГТУ
- 3 к.т.н., вед. науч. сотрудник, УФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Abstract
The dependence of InGaN/GaN LEDs quantum efficiency reduce rate with the features of the volt-farad characteristics during operation is presented.
How to cite
Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А. Связь снижения квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов при испытаниях с особенностями вольт-фарадных характеристик // Нелинейный мир. 2013. № 2. С. 90–91.
References
- Бочкарева Н.И. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 7. С. 829-832.
- Закгейм А.П. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 2. С. 219-223.