Влияние дейтерирования на электронные свойства легированных бором алмазных пленок

Герасимов А.С.; Дзбановский Н.Н.; Паль А.Ф.; Суетин Н.В.; Трифонов А.С.; Юрьев А.Ю.; Солдатов Е.С.; Черепанов Н.С.; Щербаков С.К.

Влияние дейтерирования на электронные свойства легированных бором алмазных пленок

Герасимов А.С.¹, Дзбановский Н.Н.², Паль А.Ф.³, Суетин Н.В.⁴, Трифонов А.С.⁵, Юрьев А.Ю.⁶, Солдатов Е.С.⁷, Черепанов Н.С.⁸, Щербаков С.К.⁹

research article

Abstract

Проведено исследование дейтерированных алмазных пленок методами сканирующей туннельной микроскопии. Поскольку некоторые грани алмаза обладают отрицательным электронным сродством, то также было проведено исследование электронно-эмиссионных свойств дейтерированного алмаза. Обнаружено существенное изменение электрических и электронно-эмиссионных свойств дейтерированных легированных бором алмазных пленок, что может служить подтверждением обнаруженного ранее факта появления n- типа проводимости в результате процессов образования бор-дейтериевых комплексов в алмазе.

How to cite

Герасимов А.С., Дзбановский Н.Н., Паль А.Ф., Суетин Н.В., Трифонов А.С., Юрьев А.Ю., Солдатов Е.С., Черепанов Н.С., Щербаков С.К. Влияние дейтерирования на электронные свойства легированных бором алмазных пленок // Нелинейный мир. 2005. № 1-2.