Влияние полупроводникового покрытия на электронный перенос в аморфных пленках ванадия

Установлено, что конденсация при Т-5 К в сверхвысоком вакууме полупроводниковой аморфной пленки сурьмы на предварительно сконденсированную аморфную пленку ванадия приводит к заметному уменьшению удельного электросопротивления и увеличению критической температуры сверхпроводящего перехода последней; показано, что это может быть обусловлено, в частности, увеличением плотности электронных состояний на поверхности Ферми аморфного ванадия; получены результаты, расширяющиеся фундаментальные знания о поведении валентных электронов на границе раздела металл-полупроводник (диэлектрик) в тонкопленочных микросхемах современной радиоэлектроники.