Article or book title, author's surname, DOI

Magnetic Patterned Media

V. G. Shadrov1, L. V. Nemtsevich2

research article Pages: 40-48

  1. 1 к.ф.-м.н., ст. научн. сотрудник, Государственное научное учреждение «Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников» НАН Беларуси
  2. 2 научн. сотрудник, Государственное научное учреждение «Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников» НАН Беларуси

Abstract

On the basis of magnetic hysteresis anisotropy, time effects and inter-granular magnetic interaction analysis peculiarities of magnetic behaviour of patterned magnetic media are discussed as well as media structure peculiarities and technological conditions. It is shown that, on the base of magnetic nanostructures formed on a structurized substrate and characterized by given geometry parameters of magnetic elements, creation of carriers with vertical writing, quantum magnetic media, granular and multilagered nanowires is possible. These features allow creation of magnetic RAM devices

How to cite

Шадров В.Г., Немцевич Л.В. Магнитные среды с заданными геометрическими параметрами магнитных элементов // Успехи современной радиоэлектроники. 2010. № 4. С. 40–48.

References
  1. V. 39. Р. R407.
  2. Skomski R. // J. Phys. F. Cond. Matter. 2003.V. 15. Р. R 341.
  3. Battle X, Labarta A. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2002, V. 35.Р.R15.
  4. Moser A., et al. //J. Phys. D. Appl. Phys. 2002, V. 39.
    P. R157.
  5. Grundy P.I. // J. Phys. D. Appl. Phys. 1998.V. 31. P. 2975.
  6. Zheng Y., Zhu J.G. // IEEE Trans. Mag. 1996.V. 32. P. 4237.
  7. Zang I., Zangari G. // J. Appl. Phys. 2002.V. 91. P. 7320.
  8. Gibson G.A., Schultz S. // J. Appl. Phys. 1993.V. 73. P. 4516.
  9. Mathcicn C., et al. // Appl. Phys.Lett. 1993.V. 70. P. 2912.
  10. Smith H.I. // J. Vac. Sci.Technol. 1995. V. B13. P. 2323.
  11. Wegrowe J.E., et al. // J. Appl. Phys. 1999.V. 86. P. 1028.
  12. Chou S.Y. // Proc. IEEE. 1997. V. 85. P. 652.
  13. Hanson, M., Kazakova O. in Low-Domensional Systems: Theory, Preparation, and Some Applications / Еdited by L.M. Liz-Marzan and M.Giersig. NATO ASI Series (Kluwer Academic, Dordrecht). 2003.
  14. Moritz J., et al. // J. Appl. Phys. 2002.V. 91. P. 7314.
  15. Fernandez A., et al. // J. Magn. Magn.Mat. 1998.V. 190. P. 71.
  16. Meier G., et al. //Appl.Phys.Lett. 1998.V. 72. P. 2168.
  17. Ross C.A., et al. // J. Appl. Phys. 2002.V. 91. P. 6848.
  18. Yellen, B., et al. // J. Appl. Phys. 2003.V. 93. P. 7331.
  19. Bates F.S. // Ann.Rev.Phys.Chem. 1990.V. 41. P. 525.
  20. Zangari G., Lambeth D.N. // IEEE Trans. Magn. 1997.V. 33. P. 3010.
  21. Metzger R.M., et al. //IEEE Trans.Magn. 2000. V. 36. P. 30.
  22. Pavlovich T., Ignatiev A. Thin Solid Films. 1968. V. 138.
  23. Ohgai T., et al. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2003. V. 36. P. 3109.
  24. Luo H., et al. // J. Phys. Chem.B. 2005. V. 109. P. 1919.
  25. Chien C.L., et al. //J. Magn. Magn.Mat. 2002. V. 249. P. 146.
  26. Walter E.C., et al. Chemphyschem. 2003. V. 4. P. 131.
  27. Rivas J., et al. // J.Magn.Magn.Mat. 2002. V. 249. P. 220.
  28. Zhukov A.A. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 7322.
  29. Malkinsk L., et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 7325.
  30. Albrecht M., et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 6845.
  31. Terris B.D., et al. // Appl. Phys. Lett.  1999. V.  75. P. 403.
  32. Devolder T., et.al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 3385.
  33. Hyndman R., et.al.  // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. P. 3843.
  34. Terris B.D., et.al. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 7004.
  35. Warin P., et.al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. P. 3850.
  36. Zhou T.J., et.al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 6856.
  37. Wernsdorfer W., et al. // Phys.Rev.Lett.1997. V. 78. P. 1791.
  38. Wirth S., et al. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. R.14028.
  39. Wirth S., et al. // IEEE Trans. Magn. 1998. V. 34. P. 1105.
  40. O-Barr R., Schultz S. // J. Apppl. Phys.1997. V. 81. P. 5458.
  41. Seberino C., Bertram N. // IEEE Trans. Magn. 1997. V. 33.
    P. 3055.
  42. O-Barr R., et al. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 5303.
  43. Pignard S., et al. // Phys. Rev. Lett.  1999. V. 82. P. 3681.
  44. Wegrowe J.E., et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. P. 3681.
  45. Shima M., et al. // J. Appl. Phys.  2003. V. 93. P. 3440.
  46. Porrati F., Huth M. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 3157.
  47. Ross C.A., et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 144417.
  48. Guslienk K.U., et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 3609.
  49. Prejbeana I.L., et al. // Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 7343.
  50. Yoo Y.G., et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 2470.
  51. Кондаурова Г.С., Оноприенко, Л.Г. Доменная структура магнетиков. Свердловск: Ур ГУ. 1986.
  52. Болтушкин А.В. и др. // Сб. «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск. 2005. С. 244.
  53. Шадров В.Г., Болтушкин А.В. // Материаловедение. 2004. №7. С. 37.
  54. O?Garr, SchultzS. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 5458.
  55. Natali M., et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 7041.
  56. O-Grady K., et al. // IEEE Trans. Magn., 1993. V. 29. P. 286.
  57. Das S., Nakagawa S. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 7427
  58. Pike C.R., et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 134407.
  59. Butera A., et al. // IEEE Trans. Magn., 1997. V. 33. P. 3604.
  60. Yu C., et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 6955.
  61. Shima M., et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 6952.
  62. Castano, et al. // J. Appl. Phys.  2002. V. 91. P. 7317.
  63. Fodor P.S., et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 7438.
  64. Sorop T.G., et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 7044.
  65. Fodor P.S., et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 7035.
  66. Mayergour I.D., Friedman G. // IEEE Trans. Magn. 1988. V. 24.
    P. 212.
  67. Шадров В.Г. // Успехи современной радиоэлектроники. Зарубежная радиоэлектроника. 2005. № 12. С. 70.
  68. Chantrell R.W. // J. Magn. Magn. Mater. 1991. V. 95. P. 365.
  69. Шадров В.Г. // Материаловедение. 2006. № 12. С. 42.
  70. Lintelo I.C., Lodder J.C. // J. Appl. Phys. 1994. V. 73. P. 1741.
  71. Grunstein G., Koch R.H. // Phys.Rev.B. 2005. V. 71.
    P. 184427.
  72. Yin H.Q., Doyle W.D. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 7709.