Оптическая модуляционная спектроскопия полупроводниковых структур
Abstract
Представлены новые методы оптической спектроскопии полупроводниковых структур, использующие модуляцию коэффициента отражения света при воздействии на образец переменного тока, СВЧ-поля, высокочастотного поля двух конфигураций, оптического излучения с энергией квантов как большей, так и меньшей энергии запрещенной зоны исследуемого полупроводника. Установлено, что наблюдаемые спектры определяются возникновением внутренних термо-ЭДС, которые изменяют межзонное поглощение в области сильного поля (эффект Франца-Келдыша) изменением экситонных состояний и электронным разогревом.
How to cite
Рябушкин О.А., Сотников А.Е., Черников М.А. Оптическая модуляционная спектроскопия полупроводниковых структур // Успехи современной радиоэлектроники. 2004. № 5-6.