Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову metal – semiconductor contact
Влияние локализованных состояний на эффективную высоту потенциального барьера «металл – аморфный гидрогенизированный кремний»

Н.В. Вишняков – к.т.н., доцент,  кафедра «Микро- и наноэлектроника», Рязанский государственный радиотехнический университет им. В.Ф. Уткина E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru; rcpm@rsreu.ru