Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову радиоэлектронный модуль
Методы оптимального проектирования конкурентоспособных радиоэлектронных модулей современных радиотехнических систем и устройств
С.В. Иванов - к.т.н., гл. технолог, ЗАО «ИРКОС». E-mail: isv-mail@list.ru
Роль и место ОАО «Концерн «Вега» в решении ключевых направлений развития высокоплотной радиоэлектроники
В.С. Верба - д.т.н., профессор, заслуженный деятель науки РФ, генеральный директор - генеральный конструктор, ОАО «Концерн «Вега»
Моделирование механических характеристик радиоэлектронных модулей третьего уровня
П.В. Иевлев - студент, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры, Воронежский государственный технический университет. E-mail: ievlev92@mail.ru А.И. Климов - д.т.н., профессор, кафедра инфокоммуникационных систем и технологий, Воронежский институт МВД РФ. E-mail: kipr@vorstu.ru А.В. Муратов - д.т.н., профессор, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры, Воронежский государственный технический университет Ю.В. Сидоров - д.т.н., ОАО «Концерн «Созвездие» А.В. Турецкий - к.т.н., доцент, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры, Воронежский государственный технический университет. E-mail: tav7@mail.ru
Этапы моделирования механических характеристик радиоэлектронных модулей третьего уровня
П.В. Иевлев - студент, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры, Воронежский государственный технический университет. E-mail: ievlev92@mail.ru А.И. Климов - д.т.н., профессор, кафедра инфокоммуникационных систем и технологий, Воронежский институт МВД РФ. E-mail: kipr@vorstu.ru А.В. Муратов - д.т.н., профессор, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры,Воронежский государственный технический университет Ю.В. Сидоров - д.т.н., ОАО «Концерн «Созвездие А.В. Турецкий - к.т.н., доцент, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры,Воронежский государственный технический университет. E-mail: tav7@mail.ru
Особенности применения метода цифрового формирования сигналов в импульсных радиоэлектронных модулях на базе GaN-транзисторов

В. В. Леонидов1, А. С. Евстигнеев2, В. Ф. Синкевич3, А. И. Власов4

1–3АО «НПП «Пульсар» (Москва, Россия)
1,4 МГТУ им. Н. Э. Баумана (Москва, Россия)
1 leonidov@pulsarnpp.ru, 2 ase@pulsarnpp.ru, 3 sinkevich@pulsarnpp.ru, 4 vlasov@iu4.ru