Д.А. Даниленко - аспирант, гл. специалист, ОАО «Концерн «Вега». E-mail: danilenko-d@yandex.ru

Т.Р. Волк - д.ф.-м.н., профессор, зав. лабораторией, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. E-mail:volk@crys.ras.ru Р.В. Гайнутдинов - к.ф.-м.н, ст. науч. сотрудник, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. E-mail: radmir@crys.ras.ru Л.С. Коханчик - к.ф.-м.н, ст. науч. сотрудник, Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН. E-mail: mlk@iptm.ru Я.В. Боднарчук - аспирант, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. E-mail:deuten@mail.ru Е.Д. Мишина - д.ф.-м.н., профессор, Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники. E-mail: mishina_elena57@mail.ru С.Д. Лавров - аспирант, Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники. E-mail: sdlavrov@mail.ru F. Chen - профессор, руководитель группы, Shandong University, Jinan, China. E-mail: drfchen@sdu.edu.cn

В.В. Каменский1, С.В. Соколов2

1 ФГБОУ ВО «Ростовский государственный университет путей сообщения» (г. Ростов-на-Дону, Россия)

2 ФГБОУ ВО «Московский технический университет связи и информатики» (Москва, Россия)

1 kam-vladislav@yandex.ru; 2 s.v.s.888@yandex.ru