Е.Ю. Замешаева - инженер, аспирант, Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина) П.А. Туральчук - к.ф.-м.н., инженер ЛЭТИ Д.В. Холодняк - ассистент ЛЭТИ М.Д. Парнес - к.ф.-м.н., инженер ООО «Резонанс» Р.Г. Шифман - зам. директора OАO «Светлана-Электронприбор» И.Б. Вендик - д.ф.-м.н., проф. ЛЭТИ

П.А. Агеев - науч. сотрудник, ОАО «Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова». E-mail: 4duskfall@gmail.com

В.В. Курганов¹, В.И. Джиган²

1 Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Москва, г. Зеленоград, Россия)

2 ФГБУН «Институт проблем проектирования в микроэлектронике» Российской академии наук  (Москва, г. Зеленоград, Россия)

О. С. Литвинов – д.ф.-м.н., профессор, кафедра физики, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: oleglitv@mtu-net.ru

Б. Е. Винтайкин – д.ф.-м.н., профессор, кафедра физики, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: vintaikb@mail.ru

В. С. Борута – к.т.н., доцент, кафедра физики, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: borutav@mail.ru

А. И. Ермаков – студент, кафедра физики, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: arsmsk@yandex.ru