Издательство РАДИОТЕХНИКА

Е.Д. Мишина - д.ф.-м.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА). E-mail: mishina_elena57@mail.ru Н.Э. Шерстюк - к.т.н., доцент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА). E-mail: nesherstuk@mail.ru С.Д. Лавров - аспирант, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА). E-mail: lav33@mail.ru А.Н. Белов - д.т.н., доцент, Национальный исследовательский университет МИЭТ. E-mail: nanointech@mail.ru Ю.В. Назаркина - аспирант, Национальный исследовательский университет МИЭТ. E-mail: engvel@mail.ru М.В. Силибин - к.т.н., доцент, Национальный исследовательский университет МИЭТ. E-mail: sil_m@mail.ru

Плазмонные эффекты в массивах нанопроводов серебра, осажденных в темплатах пористого оксида алюминия

Усиленное оптическое пропускание нанокомпозитных пленок с наночастицами серебра на различных подложках. Часть 1. Вопросы теории и модель

К.К. Алтунин - к.ф-м.н., доцент, Ульяновский государственный педагогический университет им. И.Н. Ульянова. Е-mail: teleportation@yandex.ru

Усиленное оптическое пропускание нанокомпозитных пленок с наночастицами серебра на различных подложках. Часть 2. Численное моделирование

Разработка алгоритмов моделирования распространения поверхностной электромагнитной волны в планарном волноводе

И.И. Васильева - ассистент, кафедра математического моделирования и компьютерных технологий, Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина. E-mail: irinavsl@yandex.ru О.Б. Гладких - к.ф.-м.н., доцент, кафедра математического моделирования и компьютерных технологий, Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина. E-mail: og1972@rambler.ru

Анализ изменения дальности регистрации излучения от точечного источника фотоприемным устройством при использовании матричного фотодетектора

А.Ю. Козирацкий¹, О.В. Смынтына², И.И. Чернухо³

1-3 ВУНЦ ВВС «ВВА им. проф. Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина»

Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов

В.Д. Шашурин1, Н.А. Ветрова2, Е.В. Куимов3, К.П. Пчелинцев4, А.С. Александров5

1,3–5 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Российский Университет Дружбы Народов (Москва, Россия)