Долголенко А.П., Варенцов М.Д., Гайдар Г.П.

Исследован n-Si, выращенный методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и методом Чохральского (Cz) после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре; рассчитана концентрация (СiСS)0-углеродной пары и ее энергетическое положение (ЕC 0,123 эВ), когда на наблюдаемый уровень стабильной конфигурации СiСS(А-)-дефекта (ЕC 0,147 эВ) налагалось теоретическое изменение концентрации носителей в зоне проводимости, обусловленное перезарядкой бистабильной конфигурации (СiСS)0-дефекта.