Федосов А.В., Ящинский Л.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А., Хвищун Н.В.

Показано, что изменения удельного сопротивления и подвижности носителей заряда ?-облученных образцов объясняются уменьшением амплитуды потенциального рельефа компенсированных полупроводников за счет увеличения концентрации экранирующих носителей заряда, обусловленной как фотоионизацией уровней радиационных дефектов Ес-0,2 эВ в n-Ge и Ес-0,17 эВ в n-Si, так и уменьшением с деформаций энергетического зазора между этими уровнями и дном зоны проводимости.