Кузнецов Г.В., Белозерцев А.В.

Проведено экспериментальное изучение полей температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора КТ819Г в пластиковом корпусе при рассеиваемых мощностях до 60 Вт. Установлена существенная неоднородность температурных полей поверхности кристалла. Выделены режимы тепловой нестабильности при определенных электрических режимах работы и факторы, регулирование которых может позволить снизить до минимума или полностью избежать этого негативного эффекта.