350 rub
Journal Radioengineering №3 for 2006 г.
Article in number:
Authors:
Бувайлик Е.В., Мартынов Я.Б., Погорелова Э.В.
Abstract:
Впервые показано, что при расчете лавинного пробоя в полевых транзисторах с субмикронной длиной затвора, в особенности в HEMT транзисторах, верные результаты можно получить лишь заменой обычно используемую зависимость коэффициентов ударной ионизации от амплитуды электрического поля аналогичными зависимостями от температур электронного и дырочного газов.