Гончаров Д.В., Девятов И.А., Куприянов М.Ю.

Исследованы транспортные свойства джозефсоновских переходов с полупроводниковой прослойкой в присутствии диэлектрических окислов или барьеров Шоттки на границах структуры. В трехмерной модели решена одноэлектронная задача проводимости N'ININ' перехода и вычислено его нормальное сопротивление Rn. Немонотонная зависимость Rn от толщины прослойки d объяснена на основе представлений о резонансном характере протекания тока в слоистых структурах с резкими плоскопараллельными границами. Сверхпроводящие свойства структуры типа SINIS сэндвич рассмотрены в формализме функций Грина, выведена аналитическая формула зависимости сверхтока от толщины нормальной прослойки, исследованы зависимости критического тока IC(d) и характерного напряжения от различных параметров перехода; полученные результаты применяются в модели баллистического полевого транзистора; рассмотрена возможность улучшения характеристик сверхпроводящего полевого транзистора с помощью эффектов «геометрического резонанса».