Мешков С. А., Хныкина С. В.

Рассмотрен смеситель на основе резонансно-туннельного нанодиода. Определена зависимость между деградацией прибора, вызванной диффузией алюминия в гетероструктуре AlхGa1-хAs резонансно-туннельного нанодиода, и электрическими характеристиками прибора. На основании этой зависимости выбрана спектральная характеристика смесителя в качестве информационного параметра для прогнозирования потенциальных отказов.