Бабунько С. А., Орлов О. С.

Рассмотрены высокочастотные устройства на полупроводниковых диодах для управления СВЧ сигналами повышенной мощности. Приведен анализ параметров и технических характеристик квазиактивных самоуправляемых устройств на полупроводниковых структурах. Рассмотрены специальные ограничительные структуры и схемотехнические решения, предназначенные повысить предельно допустимую мощность на входе и подавить импульс просачивающейся мощности на выходе защитного устройства, и, соответственно, на входе МШУ высокочастотного приемника.