Radiotekhnika
Publishing house Radiotekhnika

"Publishing house Radiotekhnika":
scientific and technical literature.
Books and journals of publishing houses: IPRZHR, RS-PRESS, SCIENCE-PRESS


Тел.: +7 (495) 625-9241

 

Влияние глубоких уровней в буферном слое на характеристики транзисторов и малошумящих усилителей при воздействии импульсов СВЧ-мощности

Баранов И.А., Климова А.В., Манченко Л.В., Обрезан О.И., Пашковский А.Б.


Оценены характерные глубины ионизации и времена перезарядки глубоких уровней в малошумящих полевых транзисторах при подаче на их вход импульса мощности в зависимости от параметров транзистора, мощности импульса и сечений захвата электронов. Предложена простая методика по оценке изменения коэффициента шума транзистора в рабочем режиме под воздействием зондирующих импульсов СВЧ-мощности на входе по изменению коэффициента усиления тока стока. На основании измерений проведены оценки для группы транзисторов. Продемонстрировано, что в некоторых случаях коэффициент шума транзистора под воздействием импульса допустимой входной мощности может увеличиваться более чем вдвое. По полученным оценкам и экспериментальным данным рассчитано влияние паразитной проводимости по буферному слою на характеристики малошумящих транзисторных усилителей при униполярном и двухполярном питании.
Список литературы:

© Издательство «РАДИОТЕХНИКА», 2004-2017            Тел.: (495) 625-9241                   Designed by [SWAP]Studio