Radiotekhnika
Publishing house Radiotekhnika

"Publishing house Radiotekhnika":
scientific and technical literature.
Books and journals of publishing houses: IPRZHR, RS-PRESS, SCIENCE-PRESS


Тел.: +7 (495) 625-9241

 

Simulated physical studies of emitting nanostructures for laser technology

Keywords:

D.K. Nikiforov – Ph. D. (Phys.-Math.), Associate Professor, Financial University – Kaluga Branch, Kaluga branch of the Bauman MSTU. E-mail: DKNikiforov@fa.ru


Computer simulation is reviewed for the processes of injection and emission in the emitted nanostructures based on BeO, Al2O3, AlN. Injection Frenkel–Poole currents and tunnel Fowler–Nordheim ones were analyzed in the conditions of various applied fields and di-electric layer thickness. Currents limited by space charge are analyzed at various applied fields and electron trap parameters.
References:

 

  1. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. EHmittirujushhie nanostruktury «metall – oksid metalla»: fizika i primenenie. Moskva: Izd-vo MGTU im. N.EH. Baumana. 2009. 156 s.
  2. Bondarenko G.G., Korzhavyjj A.P., Nikiforov D.K., CHistjakov G.A. Sozdanie ehffektivnykh kholodnykh katodov iz aljuminija i berillija // Perspektivnye materialy. 2007. T. 1. № 2. S. 23−28.
  3. Korzhavyjj A.P., Marin V.P., Sigov A.S. Nekotorye aspekty sozdanija tekhnologijj i konstrukcijj izdelijj kvantovojj ehlektroniki // Naukoemkie tekhnologii. 2002. T. 3. № 4. S. 20−31.
  4. SHulakov A.S., Brajjko A.P., Bukin S.V., Drozd V.E. Svojjstva mezhfazovojj granicy Al2O3/Si // FTT. 2004. T. 46. № 10. S. 1868−1872.
  5. Ezhovskijj JU.K., Klusevich A.I. Diehlektricheskie mnogoslojjnye nanostruktury oksidov tantala i aljuminija // FTT. 2003. T. 45. № 11. S. 2099−2103.
  6. Prudan A.M., Golman E.K., Kozyrev A.B., Kjutt R.N., Loginov V.E. Svojjstva titanata stroncija v mnogoslojjnojj strukture SrTiO3/CeO2/Al2O3 // FTT. 1997. T. 39. № 6. S. 1024−1029.
  7. Abramov I.I., Novik E.G. KHarakteristiki metallicheskikh odnoehlektronnykh tranzistorov na razlichnykh materialakh // FTP. 2000. T. 34. № 8. S. 1014−1019.
  8. Abramov I.I., Ignatenko S.A., Novik E.G. KHarakteristiki mnogoostrovkovykh odnoehlektronnykh cepochek v zavisimosti ot razlichnykh faktorov // FTP. 2003. T. 37. № 10. S. 1231−1234.
  9. Sukhovskijj V.N., Korzhavyjj A.P., Kochurikhin V.E. Nitridy perekhodnykh metallov – perspektivnye materaly dlja dolgovechnykh plenochnykh katodov // EHlektronnaja tekhnika. Ser. Materialy. 1989. № 6. S. 70−71.
  10. Hickmott T.W. Polarization and Fowler-Nordheim tunneling in anodized Al-Al2O3-Au diodes // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. № 11. P. 7903−7912.
  11. Hickmott T.W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltage-controlled negative resistance in anodized Al-Al2O3-Au // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. № 5. P. 2805−2812.
  12. Lee M.B., Hahm S.H., Lee J.H., Song Y.H.Emission behavior of nm-thick Al2O3 film-based planar cold cathodes for electronic cooling // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. P. 123511−123513.
  13. Shi S.C., Chen C.F., Li H.Y., Lo J.T., Lan Z.H., Chen K.H., Chen L.C. Field emission from quasi-aligned aluminium nitride nanotips // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. № 7. P. 3109−3112.
  14. Sowers A.T., Christman J.A., Bremser M.D., Ward B.L., Davis R.F. Thin films of aluminium nitride and aluminium gallium nitride for cold cathode application // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 16. P. 2289−2291.
  15. Kao K., KHuang V. Perenos ehlektronov v tverdykh telakh. M.: Mir. 1984. 326 s.
  16. Tunnelnye javlenija v tverdykh telakh / Pod red. EH. Burshtejjna, S. Lundkvista. M.: Mir. 1973. 367 s.
  17. Djakonov V.P.Maple 10/11/12/13/14 v matematicheskikh raschetakh. M.: DMK-Press. 2014. 800 s.
  18. Nikiforov K.G., Korzhavyjj A.P., Gorbachev V.V.i dr. Defekty i fizicheskie svojjstva mnogokomponentnykh ehlektronnykh materialov // Pod red. K.G. Nikiforova. Kaluga: KGPU. 1999. 215 s.
  19. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Vlijanie diehlektricheskogo nanosloja na ehmissionnye svojjstva struktur Al-Al2O3 i Be‑BeO // Izvestija RGPU im. A.I. Gercena. 2009. № 11(79). S. 153−159.
  20. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Modelirovanie processov inzhekcii i ehmissii nositelejj zarjada v nanostrukturakh na osnove nitrida aljuminija // Fundamentalnye problemy radioehlektronnogo priborostroenija. 2012. T. 12. № 2. S. 58−60.
  21. Lampert M., Mark P. Inzhekcionnye toki v tverdykh telakh. M.: Mir. 1973. 435 s.
  22. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Poverkhnostnaja i obemnaja modifikacija ehmitirujushhikh nanostruktur Al-AlN i Al-Al2O3 ionnojj bombardirovkojj // Izvestija VUZov. Fizika. 2013. T. 56. № 1−2. S. 23−26.
  23. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G.Modelirovanie selektivnogo raspylenija ionnojj bombardirovkojj nanosloev diehlektricheskikh binarnykh soedinenijj // Fundamentalnye problemy radioehlektronnogo priborostroenija. 2014. T. 14. № 3. S. 136−139.
  24. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Modelirovanie selektivnogo katodnogo raspylenija He-Ne bombardirovkojj nanosloev BeO // Fundamentalnye problemy radioehlektronnogo priborostroenija. 2015. T. 15. № 3. S. 169−172.
  25. Nikiforov D.K. EHmitirujushhie tonkoplenochnye struktury Al-Al2O3 i Be-BeO v uslovijakh ionno-ehlektronnojj bombardirovki: Dis. … kand. fiz.-mat. nauk. M. 2006. 191 s.

 

© Издательство «РАДИОТЕХНИКА», 2004-2017            Тел.: (495) 625-9241                   Designed by [SWAP]Studio